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該過程使用了對紫外光敏感的化學物質，即遇紫外光則。
通過控制遮光物的位置可以得到芯片的外形。
在硅晶片涂上光致抗蝕劑，使得其遇紫外光就會溶解。
這時可以用上份遮光物，使得紫外光直射的部分被溶解，這溶解部分接著可用溶劑將其沖走。
這樣剩下的部分就與遮光物的形狀一樣了，而這效果正是我們所要的。
這樣就得到我們所需要的化硅層。
摻加雜質，將晶圓中植入離子，生成相應的P、N類半導體。
具體工藝是從硅片上暴露的區域開始，放入化學離子混合液中。
這一工藝將改變攙雜區的導電方式，使每個晶體管可以通、斷、或攜帶數據。
簡單的芯片可以只用一層，但復雜的芯片通常有很多層，這時候將該流程不斷的重復，不同層可通過開啟窗口聯接起來。
這一點類似多層PCB板的制作原理。
更為復雜的芯片可能需要多個化硅層，這時候通過重復光刻以及上面流程來實現，形成一個立體的結構。