廈門中芯晶研可提供2",3",4",6"碳化硅單晶片。
碳化硅晶片由純硅和碳組成,與硅相比具有三大優勢:
l 更高的臨界雪崩擊穿場強
l 更大的導熱系數
l 更寬的禁帶
碳化硅晶片具有3電子伏特(eV)的寬禁帶,可以承受比硅大8倍的電壓梯度而不會發生雪崩擊穿。禁帶越寬,在高溫下的漏電流就越小,效率也越高。而導熱系數越大,電流密度就越高。SiC襯底具有更高的電場強度,因而可以使用更薄的基礎結構,其厚度可能僅為硅外延層的十分之一。此外,SiC的摻雜濃度比硅高2倍,因此器件的表面電阻降低了,傳導損耗也顯著減少。