全自動晶圓研磨后清洗機由多個部分組成，包括清洗池、氣體噴槍、旋轉臺等。
首先，晶圓會被放到清洗池中，在池中進行清洗。
清洗池中通常會加入一些特殊的化學試劑，這些試劑可以很好地去除晶圓表面的雜質和殘留物。
同時，清洗池中還會引入一定的氣體，這些氣體可以增加清洗液的活性，加速清洗過程。
為了讓清洗液充分地接觸晶圓表面，清洗池通常會設有旋轉臺，將晶圓不停地旋轉。
全自動晶圓研磨后清洗機會配備氣體噴槍，用于在清洗之前和清洗之后對晶圓進行吹掃。
這樣可以將晶圓表面粘附的雜質和殘留物刮除掉，讓清洗液更好地接觸晶圓表面。
全自動晶圓研磨后清洗機應用范圍：
1、爐前清洗：擴散前清洗。
2、光刻后清洗：除去光刻膠。
3、全自動晶圓研磨后清洗機氧化前自動清洗：氧化前去掉硅片表面所有的沾污物。
4、拋光后自動清洗：除去切、磨、拋的沾污。
5、外延前清洗：除去埋層擴散后的SiO2及表面污物。
6、合金前、表面鈍化前清洗：除去鋁布線后，表面雜質及光膠殘渣。
7、全自動晶圓研磨后清洗機離子注入后的清洗：除去光刻膠，SiO2層。
8、擴散預淀積后清洗：除去預淀積時的BSG和PSG。
9、CVD后清洗：除去CVD過程中的顆粒。
10、附件及工具的清洗：除去表面所有的沾污物
全自動晶圓研磨后清洗機特點：
臺式系統
無損兆聲掩模版或晶圓片清洗及旋轉甩干
支持12”直徑的圓片或9”x9”方片
全自動晶圓研磨后清洗機微處理機自動控制
IR紅外燈
選配項：
掩模版或晶圓片夾具
全自動晶圓研磨后清洗機全自動晶圓研磨清洗機PVA軟毛刷清洗
化學試劑清洗(CDU)
氮氣離子發生器