化合積電采用PVD物理氣相沉積工藝制備出高質量的藍寶石氮化鋁，【0001】取向搖擺曲線（XRC）的測量結果<0.05°（180arcsec）,并具備以下優勢：
?通過改善AIN生長步驟提高產量
?與MOCVD或HVPE生長的AIN相比，高質量、大尺寸、低成本，有利于規?；慨a
?可提供高達200nm厚度或是200nm以上（可根據要求提供其他厚度）
| 產品名稱 | 藍寶石基氮化鋁（AIN on Sapphire） |
基底材料(Substrate) | 430-440um Sap(002) |
| AIN外延厚度(Thinkness) | 50~200nm |
| 晶面取向(Orientantion) | c-aixs[0001] |
| 表面粗糙度(nm)(5*5nm) | Rq<1.20nm(200nm) |
| XRC(°)(002) | <0.05° |
| 總厚度變化(TTV) | <7um |
| 翹曲度(Warp) | <30um |
| 彎曲度(BoW) | -10~15um |
| 包裝(Packaging) | 單片/多片晶圓盒 |
| 直徑(inch) | 2、4......可定制 |